存儲芯片報價跌跌不休，廠商難忍虧損。

據(jù)臺灣工商時報今日報道，三星下令暫停存儲芯片第六代V-NAND成熟型制程報價，低于1.6美元者全面停止出貨。

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已有兩大廠商私下證實這一消息，并表示“先前該產(chǎn)品1.45-1.48的美元低價位，未來不會再出現(xiàn)了”，意味存儲芯片價格全面看漲，有望在供應(yīng)鏈配合下，進(jìn)入報價回升周期。

據(jù)臺灣電子時報昨日消息，在NAND Flash調(diào)漲趨勢下，大陸存儲模組廠近日暫停報價及接單，將配合原廠報價調(diào)高8%-10%。盡管買賣雙方仍處拉鋸階段，但產(chǎn)業(yè)漲價風(fēng)向愈趨明確，NAND價格逐步朝制造成本線靠攏。

值得注意的是，三星內(nèi)部規(guī)劃將暫停平澤P1產(chǎn)線，預(yù)計將延續(xù)至少1個月或更久，該產(chǎn)線主打的便是128層堆疊的第6代V-NAND成熟制程產(chǎn)品。

而近一年多以來，三星積極去化的主力就是V6產(chǎn)品，由于V6產(chǎn)能規(guī)模龐大，目前庫存水位仍有不少，但去化帶來成效，也有助于降低短期出貨壓力。

由于存儲芯片原廠積極推動去化庫存，不時會要求特定存儲芯片模組配合拿貨。臺媒指出，先前曾傳出3家大陸模組廠商于二季度與三星簽下大單，各家將承接6000萬顆512Gb IC，將分批在未來6個月內(nèi)完成拉貨，成本價格約在1.45美元。

近期NAND漲價傳言不斷，許多中小型客戶均計劃趁漲價前再拉低價囤貨。隨著原廠減產(chǎn)動作發(fā)酵，存儲芯片模組業(yè)者也配合漲價，有助于推動OEM客戶重啟備貨。

此外，從存儲芯片業(yè)界近期釋出的信號來看，產(chǎn)業(yè)景氣確有接近谷底跡象。

例如封測廠南茂在2023年下半年展望中明確指出，DRAM訂單回溫，NAND模組廠也已陸續(xù)恢復(fù)拉貨，2024年有望進(jìn)入復(fù)蘇周期。存儲芯片控制IC設(shè)計廠商慧榮科技也指出，公司第三季營收有望環(huán)比增長15%-20％，毛利率則持穩(wěn)往上。

NAND Flash跌幅有望收斂 但漲價效應(yīng)有待繼續(xù)觀察

展望第三季，進(jìn)入傳統(tǒng)備貨旺季之后，NAND報價跌幅有望進(jìn)一步收斂。TrendForce便預(yù)估，第三季NAND Flash報價將環(huán)比下降3%-8％，跌幅收斂。

存儲芯片廠商則指出，整體而言，存儲芯片報價有落底現(xiàn)象，大廠全面啟動減產(chǎn)，效應(yīng)預(yù)估第三季開始反應(yīng)，報價已非全面下跌，HBM在AI風(fēng)潮帶動下，需求大增，價格也不錯，預(yù)計存儲芯片報價于2024年重回上漲周期的概率頗高。

不過，存儲芯片短期出貨有望反彈的預(yù)期，有一部分原因來自iPhone 15即將上市、其他手機(jī)品牌也陸續(xù)推出新品。但目前終端需求疲軟，iPhone 15系列新機(jī)雖然將在秋季上市，但最新產(chǎn)業(yè)報告預(yù)估目標(biāo)產(chǎn)量大降至7700萬臺，對電子產(chǎn)業(yè)的拉動效果恐不明朗。

因此雖然產(chǎn)業(yè)鏈開始暫停報價、擬調(diào)漲報價，但買方仍在觀望，漲價效應(yīng)有待繼續(xù)觀察，特別是主流存儲芯片報價上漲時間可能有所延后。